Оптоэлектронные приборы

Содержание

Введение 3
1 Теоретические основы одноэлектроники 4
1.1 Одноэлектронное туннелирование и эффект кулоновской блокады 4
1.2 Кулоновская лестница 10
2 Одноэлектронные приборы 13
3 Будущее одноэлектронных устройств 19
Заключение 22
Список использованной литературы 24

Введение
В начале 80-х годов работы профессора МГУ К.К.Лихарева заложили основу нового перспективного направления твердотельной электроники, так называемой "одноэлектроники". В основе одноэлектроники лежит квантование электрического заряда. В простейшем случае связанные с этим фактом явления (так называемая "кулоновская блокада") можно наблюдать при исследовании прохождения тока через такую систему: микроскопический проводящий островок, отделенный от двух контактных проводов тонкими диэлектрическими барьерами. Действительно, подобная конструкция имеет емкость C, и чтобы "посадить" на островок один электрон, необходимо приложить напряжение, равное e/2C. Если емкость достаточно мала (1 фемтофарад, к примеру), то напряжение будет заметным (порядка сотни микровольт).
В отличие от обычных "многоэлектронных" устройств, в "одноэлектронных" устройствах "работает" небольшое число электронов. Выгода таких устройств очевидна - они имеют очень малые размеры и потребляют мало энергии.
1 Теоретические основы одноэлектроники
1.1 Одноэлектронное туннелирование и эффект кулоновской блокады
Одно из самых перспективных направлений увеличения степени интеграции микросхем основано на развитии приборов, в которых контролируется перемещение буквально одного электрона. В таких устройствах, называемых сейчас одноэлектронными транзисторами, бит информации будет представлен одним электроном. В одноэлектронных транзисторах время перемещения электрона определяется процессами туннелирования и может быть очень малым. Теория одноэлектронного туннелирования была предложена К.К. Лихаревым в 1986 году. В элементарном виде развиваемые представления могут быть рассмотрены следующим образом.
Рассмотрим туннельный переход между двумя металлическими контактами и тонким слоем диэлектрика между ними. По сути дела это плоский конденсатор емкостью С, на обкладках которого находится заряд Q. Энергия, запасенная в таком конденсаторе, равна
(1)
Изменение емкости конденсатора происходит дискретно, и минимальное значение изменения энергии определяется так:
(2)
где е — элементарный заряд электрона. Для наблюдения эффектов необходимо, чтобы минимальное изменение энергии было больше температурных флуктуаций, т. е
∆Е≫kT (3)
где k– постоянная Больцмана, а Т – температура. Кроме этого, необходимо, чтобы данное изменение превышало энергию квантовых флуктуации, где , — проводимость туннельного перехода, — проводимость, шунтирующая переход.
С другой стороны, необходимо, чтобы
∆E=hGC (4)
Исходя из (4) можно записать, что
G=RQ-1 (5)
где — квантовое сопротивление. Одно из важнейших предположений теории одноэлектронного туннелирования заключалось в том, что начальный заряд , на туннельном переходе может быть отличен от нуля, и, более того, может принимать значения, не кратные целому числу электронов. Данный факт объясняется тем, что начальный заряд может создаваться поляризацией близлежащих электродов, заряженных примесей и т.д. и, таким образом, иметь любое значение. Тогда заряд Q в уравнении (1) будет иметь вид . Из всего вышесказанного вытекает, что, если Q лежит в пределах от до , добавление или вычитание целого числа электронов будет увеличивать энергию (1), т.е. является энергетически невыгодным. Данный вывод иллюстрируется на рис. 1.
Рис. 1 Зависимость зарядовой энергии перехода от заряда. Стрелками показано добавление (вычитание) одного электрона
Из него видно, что если заряд хотя бы немного меньше значения , то добавление или вычитание одного электрона приводит к увеличению общей энергии. Если же заряд превышает значение , то выгодным становится туннелирование электрона через диэлектрик. Так как напряжение на конденсаторе , то при напряжениях от до ток через туннельный переход протекать не должен. Говоря иначе, для того чтобы обеспечить туннелирование через переход, необходимо преодолеть силу кулоновского отталкивания электронов. Данный эффект отсутствия тока при приложении напряжения в указанных пределах был назван эффектом кулоновской блокады. Таким образом, кулоновская блокада — это явление отсутствия тока при приложении напряжения к туннельному переходу из-за невозможности туннелирования электронов вследствие их кулоновского отталкивания.
Напряжение, которое необходимо приложить к переходу для преодоления кулоновской блокады (также называемое напряжением отсечки):
Vкб=e/2C-(6)
Процесс протекания тока через одиночный туннельный переход происходит в несколько стадий. Так как ток является величиной непрерывной, то заряд на одной стороне перехода накапливается постепенно. При достижении величины е/2 происходит туннелирование одного электрона через переход и процесс повторяется. Здесь можно провести аналогию с каплей воды, отрывающейся от края трубки, предложенную К. К. Лихаревым: при достижении некоторой критической массы капля отрывается от крана и начинается образование следующей. На рис. 2 представлен процесс одноэлектронного туннелирования в условиях кулоновской блокады.
Рис. 2 Стадии процесса одноэлектронного туннелирования и аналог образования капли в трубке
На первой стадии в начальный момент времени граница между металлом и диэлектриком является электрически нейтральной. Электрический ток является величиной непрерывной. Для его поддержания необходимо на одной стороне туннельного перехода накопить определенный заряд.
На второй стадии к металлическим обкладкам прикладывается электрический потенциал и на границе раздела начинает накапливаться заряд. На параллельной схеме начинает формироваться капля.
В ходе третьей стадии происходит накопление заряда до тех пор, пока его величины не будет достаточно для возникновения туннелирования одного единственного электрона через диэлектрик.
На четвертой стадии после акта туннелирования система возвращается в первоначальное состояние. При сохранении внешнего приложенного напряжения цикл повторяется вновь. Перенос заряда в такой структуре осуществляется порциями, по одному электрону. Частота перехода определяется величиной
(7)
где I – ток через переход. Такие осцилляции были названы одноэлектронными туннельными осцилляциями (Single Electron Tunneling-SET).
Следует отметить, что наблюдение кулоновской блокады возможно лишь при выполнении условий (3) и (5). Данные условия, особенно температурное (3), накладывают довольно жесткие ограничения на конструкции одноэлектронных приборов. Из (2) и (3) можно получить значение емкости, необходимое для наблюдения кулоновской блокады при данной температуре Т.
Подставив численные значения е и k, получим, что для наблюдения эффекта
C=e2/2kT (8)
при Т= 4,2 K необходима емкость C=2∙10-16, а для Т= 77 K и Т= 300 K соответственно C=10-17 и C=3∙10-18. Таким образом, для работы приборов при высоких температурах (выше Т= 77 K необходима емкость 10-18–10-19 или аттофарада).
На рис. 3. показана эквивалентная схема рассмотренной системы. Прямоугольником обозначен туннельный переход. Данное графическое обозначение для кулоновского туннельного перехода является общепринятым. Переход характеризуется сопротивлением R и емкостью С, С' – емкость подводящих контактов. К переходу приложено напряжение V. Из приведенной схемы видно, что если паразитная емкость С' больше емкости перехода, емкость системы будет определяться шунтирующей емкостью С'. В реальных приборах не удается получить шунтирующую емкость менее 10-15 Ф, что как минимум на два порядка больше требуемой для наблюдения одноэлектронного туннелирования даже при температурах жидкого гелия. right2096770
Рис. 4
Эквивалентная схема конструкции с двумя переходами
Рис. 4
Эквивалентная схема конструкции с двумя переходами
Рис. 3
Эквивалентная схема туннельного перехода
Рис. 3
Эквивалентная схема туннельного перехода
Таким образом, наблюдение одноэлектронного туннелирования в системе с одним переходом при сегодняшнем развитии технологии является проблематичным.
Для разрешения данной проблемы была предложена конструкция из двух туннельных переходов, включенных последовательно. Эквивалентная схема этой конструкции представлена на рис. 4.
Как видно из рисунка, емкость контактов уже не шунтирует емкость каждого перехода. Физически такая конструкция представляет собой малую проводящую частицу, отделенную туннельными переходами от контактов, поэтому – заряду, находящемуся на частице.
(9)
Тогда (9) можно переписать в виде, который полностью аналогичен формуле (1), за исключением того, что вместо емкости С фигурирует емкость — суммарная емкость двух переходов, так как и включены параллельно, если смотреть с частицы. Таким образом, справедливыми остаются формулы (2), (4) и (8) при замене в них C на . А в формулах (3) и (4) необходимо заменить G на .
1.2 Кулоновская лестницаРассмотрим двухпереходную систему с несимметричными переходами. Темп туннелирования через один переход можно записать
(10)
где изменение энергии на первом переходе при падении на нем напряжения . Подставив в (10), получим
 (11)
Аналогичное выражение можно записать для . Из (11) видно, что при различии R и С переходов будут различаться и темпы туннелирования. Если R и С переходов равны, то при увеличении напряжения будет происходить плавный рост тока, так как количество пришедших на кулоновский остров электронов будет равно количеству ушедших.
При несимметричности переходов на островке будет существовать заряд из n электронов. При увеличении напряжения до значения, достаточного для забрасывания на островок -го электрона, вначале будет происходить резкое увеличение тока, обусловленное переходом с высоким темпом туннелирования.
Дальнейшее увеличение тока, обусловленное переходом с низким темпом туннелирования, будет медленным до тех пор, пока на островок не сможет попасть - й электрон. Таким образом, хотя ток через систему протекает непрерывно, в каждый момент времени на островке будет существовать определенное количество электронов, зависящее от приложенного напряжения. В результате ВАХ двухпереходной системы имеет ступенчатый вид, называемый "кулоновской лестницей". Ступеньки кулоновской лестницы будут тем ярче выражены, чем более несимметричны переходы, а при симметрии переходов, т.е. при равенстве RС — постоянных, ступеньки исчезают.
Семейство кулоновских лестниц, рассчитанное К. К. Лихаревым для различных значений , представлено на рис. 5.
Рис. 5 Расчетная ВАХ схемы, показанной на рис. 3 для различных значений
Как уже отмечалось выше, заряд Q в уравнении (1) имеет вид , где n – целое число электронов на кулоновском острове. Так как имеет поляризационную природу, то, расположив рядом с кулоновским островом третий электрод – затворный, можно изменять непрерывно, пропорционально затворному напряжению.
Таким образом, при непрерывном изменении , периодически будет выполняться условие кулоновской блокады, графически показанное на рис. 1. Следовательно, при изменении затворного напряжения периодически будет возникать кулоновская блокада, и зависимость тока через точку (или напряжения на ней при постоянном токе) будет носить осцилляционный характер. Пример таких осцилляций (напряжение на точке при постоянном токе через нее в зависимости от затворного напряжения) показан на рис. 6.
Рис. 6 Зависимость напряжения на квантовой точке при постоянном токе через нее I=30 pA в зависимости от напряжения на затворе
2 Одноэлектронные приборыВ последнее время в связи с приближением к пределам миниатюризации классических микроэлектронных приборов усилился интерес к приборам, в которых контролируется перемещение определенного количества электронов, в частности, одного электрона. Создание так называемых одноэлектронных приборов открывает заманчивые перспективы цифровой одноэлектроники, в которой бит информации будет представлен одним электроном. В таких приборах перемещение электрона происходит посредством туннелирования. Так как времена туннелирования электрона достаточно малы, то теоретический предел быстродействия одноэлектронных приборов очень высок. С другой стороны, работа, необходимая для перемещения одного электрона, также мала, следовательно, энергопотребление одноэлектронных схем должно быть чрезвычайно небольшим. Так, по оценкам основоположника одноэлектроники К. К. Лихарева теоретический предел быстродействия одноэлектронного прибора составляет сотни ТГц (терагерц), а энергопотребление одного прибора - Вт.
Фундаментальным одноэлектронным устройством является одноэлектронный транзистор. Он содержит область проводимости, соединенную с истоковыми и стоковыми электродами – туннельными барьерами, которые имеют емкостную связь с затвором.
Изменяя напряжение на затворе, можно моделировать ток через область “исток-сток”. Если создать несколько областей с взаимной емкостной связью, то возможно перемещение через эти области дискретных электронов. В этом случае можно реализовать логические функции. Одной из перспективных конструкций является Т-образная транзисторная структура (рис. 7).
Рис. 7. (а) Структура кремниевого Т-образного соединения проводников, изготовленного на базе SIMOX подложки (б) Схема расположения кремниевых областей проводимости, сформированных с применением технологии PADOX. Овалами обозначены области проводимости, а заштрихованные части соответствуют сужениям
Транзисторы изготавливаются на кремниевой подложке по технологии изоляции имплантированным кислородом (SIMOX, Separation by IMplantation of OXygen). Такая технология позволяет получить тонкий слой кремния, изолированный от кремниевой подложки. С помощью процесса электронно-лучевой литографии возможно получение Т-образного соединения из слоя кремния толщиной 30 нм, шириной плеча 40-50 нм и длиной плеча 50-80 нм. Кремниевые области проводимости сделаны так, что сужения кремниевых проводников образуют туннельные барьеры.
Такое конструктивное решение стало возможным благодаря использованию эффекта самопроизвольного формирования сужения кремниевого проводника в процессе окисления. Этот эффект основан на двух противоположных механизмах окисления: снижение степени окисления в связи с ростом внутренних напряжений и рост степени окисления вблизи края проводника. Образная конструкция позволяет снизить степень окисления в плечах из-за наличия внутренних напряжений. Одновременно можно увеличить степень окисления в точке соединения областей, где из-за относительно большой площади снижается внутреннее напряжение.
Тонкие поликремниевые затворы над каждым плечом образного соединения были сформированы с помощью электронно-лучевой литографии и процесса их легирования фосфором. Точность перекрытия в 20 нм позволяет использовать их для управления электростатическим потенциалом областей проводимости каждого плеча.
После изготовления тонких затворов был сформирован промежуточный изолирующий слой оксида кремния и верхний поликремниевый затвор. И наконец, используя верхний затвор как маску, формировались выводы истока и стока путем имплантации ионов фосфора. Фотография общего вида Т’-образного транзистора, сделанная с помощью электронного микроскопа, приведена на рис. 8.
Рис. 8. Общий вид Т-образного соединения, сделанный с помощью электронного микроскопа.
Сложную транзисторную структуру можно разложить на отдельные части и для удобства расчета составить ряд эквивалентных схем.
Устройство состоит из двух одноэлектронных транзисторов, связанных между собой через туннельный конденсатор. Область в плече Т, не имеет над собой затвора, и ее электростатический потенциал управляется верхним затвором (рис. 9).
Рис. 9. (а) Структурная схема и (б) эквивалентная схема устройства для двух областей проводимости
Потенциал кремниевой области в плече управляется верхним и нижним затворами. Это возможно из-за неполной экранировки области проводимости каждой из областей. Верхний электрод играет роль общего затвора, управляющего всеми кремниевыми областями проводимости. left328295
Рис. 10.
Различные конфигурации для устройства с двумя областями проводимости.
Рис. 10.
Различные конфигурации для устройства с двумя областями проводимости.
Управление напряжением нижнего затвора позволяет получать различные конфигурации транзисторных структур (рис. 10). Кремниевые области и затворные электроды на рисунке показаны условно. Если включен канал, то получаются два параллельно включенных одноэлектродных транзистора (рис. 10 справа).
Если считывать напряжение в плече, то формируется аналог инвертора КМОN-типа (рис. 10 в центре). Если канал выключен, то формируется схема из двух последовательно включенных транзисторов, работающих в одноэлектронном устройстве передачи. Эта схема также называется одноэлектронным насосом (рис. 10 слева).
Устройство может быть использовано для коммутации тока между двумя кремниевыми областями. Если подать напряжение, то зависимость тока через устройство с двумя областями проводимости от напряжения на верхнем затворе при температуре 30К (нижние затворы не используются). будет иметь вид, представленный на рис. 11. На врезке показана работа коммутатора тока при подаче на затвор последовательности импульсов напряжения с амплитудой 100 мВ (от 0 до 0,1 В) и периодом 100 мс.
Рис. 11. Вольтамперная характеристика
На ВАХ видны колебания, связанные с эффектом кулоновской блокады. Различные периоды колебаний связаны с размерами областей. Противофазность колебаний позволяет осуществить коммутацию тока между плечами Т-образного соединения. Отметим, что переключение токов с соотношением 1: 20 реализовано в области 200×300 нм.
На основе Т-образных транзисторных структур может быть реализован ряд уникальных схем. Одноэлектронный коммутатор или одноэлектронный насос представлен на рис. 12а. Гармонический сигнал управления с частотой f подается на затворы и позволяет прокачивать одиночные электроны, дает ток, равный произведению частоты на заряд электрона. На рис. 12б представлен направленный коммутатор для одноэлектронного перемещения, использующий три кремниевых области проводимости.
Рис. 12. а) Одноэлектронный коммутатор или одноэлектронный насос б) Направленный коммутатор для одноэлектронного перемещения, использующий три кремниевых области проводимости
В этом устройстве соединены два одноэлектронных насоса. Каждый одиночный электрон может перемещаться по одному из двух путей – плат Т-образного соединения. Выбор конкретного пути перемещения определяется входным управляющим сигналом. Такие устройства позволяют осуществить построение логических структур с использованием отдельных электронов. Эти одноэлектронные структуры могут иметь сверхвысокую степень интеграции и сверхмалое потребление мощности при минимальных габаритах.
3 Будущее одноэлектронных устройств
Устройства, в которых может контролируемо осуществляться перенос одного электрона, в скором времени приведут к перевороту в области микро- и наноэлектроники. Среди основных достоинств подобного рода устройств – крайне малое энергопотребление и чувствительность к фактически единичным носителям заряда (что крайне важно для
сенсорных устройств, так как их отклик прямо пропорционален количеству заряда). Однако изготовление одноэлектронных устройств требует геометрической точности на нанометровом уровне, поэтому одновременно можно создавать лишь небольшое количество устройств, что тормозит их широкомасштабное применение в промышленном производстве.
Рис.13. Схема новой архитектуры одноэлектронных устройств. Эквивалентная схема одноэлектронного переноса (пунктирная
В работе, опубликованной в Nature, группа американских учёных попыталась решить данную проблему, предложив параллельный способ производства одноэлектронных устройств. Принципиальная схема такого устройства представлена на рисунке 13. Стоит заметить, что данная схема отличается от всем привычного расположения стока, истока и затвора: они расположены не горизонтально, а вертикально. Проводящий островок расположен на торцевой стороне диэлектрического зазора.

Рис.14. Схема процесса изготовления одноэлектронных устройств
Процесс изготовления такого рода одноэлектронных устройств представлен на рисунке 14. (a-c, основные шаги построения архитектуры одноэлектронного устройства, представленного на рисунке 13. d-g, создание с помощью четырёх фотомасок всех необходимых подводящих контактов. h, фотография чипа, созданного с помощью данной технологии). В данной схеме есть небольшой недостаток - коллоидные наночастицы золота распределены хаотично (т.е. подложка просто погружалась в раствор коллоидного золота), однако учёные предложили выход из данной проблемы. Различные части одноэлектронного устройства можно покрывать самособирающимися монослоями, которые будут иметь один знак заряда на диэлектрическом зазоре и другой - на истоке/стоке.
Рис.15. SEM-изображение прикрепленной наночастицы золота (диаметр наночастиц ~20 нм)
На рисунке 15 приведена микрофотография наночастицы золота, которая «прилипла» к тонкому диэлектрическому слою между истоком и стоком. Экспериментально измеренные отклики одноэлектронного устройства, а также транзистора, созданного по аналогичной технологии, представлены на рисунках 16 и 17.
На основании этих данных можно говорить о том, что представленные устройства обладают достаточно хорошими характеристиками для применения их в реальных устройствах.
Рис.17. Одноэлектронный транзистор. a, схема одноэлектронного транзистора. b, кулоновские осцилляции при комнатной температуре (красный) и при 10K (синий). c, ступени проводимости при различных напряжения на затворе. d-e, сравнение измеренных и рассчитанных вольтамперных характеристик. f, данные по десяти транзисторам (статистика)
Заключение
Всем хорошо известно стремление производителей микропроцессоров к минитюаризации элементов интегральных микросхем. Это позволяет увеличить, во-первых, скорость передачи сигнала, во-вторых, уменьшить потребление мощности, что влияет на ошибки при вычислениях. Но, постоянно уменьшать размеры транзисторов без изменения физических законов управляющими токами в системе не возможно не столкнуться с новой физикой описывающей процессы в мезоскопических или квантовых системах, где длина свободного пробега или соответственно длина волны электрона сравнима с характерными размерами прибора. На сегодняшний день, можно сказать, что квантовые системы привлекают к себе пристальное внимание исследователей. Эта область науки интенсивно развивается в последнее время, что связано, прежде всего, с развитием технологии, в частности электронной литографии.
Фундаментальным SED устройством является одноэлектронный транзистор (SET). Он содержит только одну область проводимости, соединённую с истоковым и стоковым электродами туннельными барьерами и имеющую ёмкостную связь с электродом затвора. Периодически изменяя напряжение на затворе такого транзистора, за счёт повторяющегося эффекта кулоновской блокады возможна модуляция тока, протекающего через область исток–сток. Более того, в одноэлектронных устройствах, имеющих несколько областей с взаимной ёмкостной связью, становится возможным перемещение через эти области отдельно взятых электронов. Таким образом, на основе SED возможна реализация принципиально новых логических схем, рассчитанных на управление отдельно взятыми электронами, например, одноэлектронных схем бинарных диаграмм решения (BDD) [2].    Из материалов, используемых для реализации SED, например, металлов, полупроводников семейства A3B5 и кремния, последний наиболее интересен с практической точки зрения, так как он позволяет создавать чрезвычайно маленькие области проводимости с ёмкостью порядка аттофарад (10-18) и эффектом кулоновской блокады, проявляющимся при комнатной температуре. Принцип действия некоторых базовых устройств, где ключевую роль играет одна область, уже был описан ранее, например, кремниевых одноэлектронных запоминающих устройств [3] и транзисторов [4,5]. Что касается интеграции нескольких областей, простые схемы металлов [6] или полупроводников группы A3B5 функционировали только при очень низких температурах — ниже 4 K, — так как размер этих областей был достаточно велик. Интеграция областей меньших размеров значительно затруднена. И хотя возможно случайным образом получить такие устройства на кристалле кремния, контроль их топологии и размеров весьма проблематичен. Таким образом, создание кремниевых SED устройств с несколькими областями проводимости, согласно заранее разработанному проекту, и интеграция их в единую схему представляет собой достаточно сложную, но перспективную задачу.
Одноэлектронные приборы работают при очень низких температурах. Однако существуют эксперименты, в которых наблюдалась кулоновская блокада при комнатных температурах. Достигнуто это было, прежде всего, с применением сканирующего туннельного микроскопа.
Одноэлектронные приборы, то есть приборы, при помощи которых можно управлять отдельными электронами в будущем найдут широкое применение.
Список использованной литературы
1. Anthony S. Beyond 22nm: Applied Materials, the unsung hero of Silicon Valley, http://www.extremetech.com/ extreme/106899-beyond-22nm-applied-materials-theunsung-silicon-hero, December 1, 2011.
2. Clarke P. Global foundries’ Dresden fab to run 22- nm CMOS, http://www.eetimes.com/news/semi/ showArticle.jhtml?articleID=223500059, March 11, 2010.
3. Lemmers D. Sematech crafts ZIL solution for 16 nm, http://www.semiconductor.net/article/307037- Sematech_Crafts_ZIL_Solution_for_16_nm.php, June 29, 2009.
4. The International Technology Roadmap for Semiconductors, http://public.itrs.net/. Edition 2011.
5. Markoff J. Technology; Intel’s big shift after hitting technical wall, http://www.nytimes.com/2004/05/17/ business/technology-intel-s-big-shift-after-hittingtechnical-wall.html, May 17, 2004.
6. Зубилов АА, Губин СП, Коротков АН, Ханин ВВ, Николаев АГ, Солдатов ЕС, Хомутов ГБ, Яковенко СА. Одноэлектронное туннелирование через кластерную молекулу при комнатной температуре. Письма в ЖТФ, 1994, 20(5):41-45.
7. Iakovenko SA, Soldatov ES, Khanin VV, Trifonov AS, Gubin SP, Khomutov GB. Fabrication and properties of carboran clusters containing stearic acid LB films and possible applications for single electronics. Thin Solid Films, 1996, 284-285:873-875.
8. Губин СП, Солдатов ЕС, Трифонов АС, Ханин ВВ. Наноразмерные кластерные материалы. I. Одиночные кластеры на поверхности графита. Неорганические материалы, 1996, 32(10):1265-1271.
9. Яковенко СА, Губин СП, Солдатов ЕС, Трифонов АС, Ханин ВВ, Хомутов ГБ. Наноразмерные кластерные материалы. II. Ленгмюровские пленки стеариновой кислоты с кластерами. Неорганические материалы, 1996, 32(10):1272-1277.